According to an embodiment, a semiconductor die has a source bond pad and a
destination bond pad attached to a top surface of the semiconductor die. A
stud bump is situated on the destination bond pad. A bonding wire is then
ball bonded to the source bond pad and thereafter stitch bonded to the
stud bump on the destination bond pad. The bonding wire acts as an
off-chip inductor or a portion of an off-chip inductor. In one embodiment
a number of bonding-wires and on chip conductors are used to form an
off-chip inductor. The inductance of the off-chip inductor can be adjusted
or fine-tuned by adjusting a loop height of the one or more bonding wires
used in the off-chip inductor. The inductance of the invention's off-chip
inductor can also be adjusted by increasing or decreasing the number of
bonding wires used to form the off-chip inductor.
De acordo com uma incorporação, um dado do semicondutor tem uma almofada bond da fonte e uma almofada bond do destino unidas a uma superfície superior do dado do semicondutor. Uma colisão do parafuso prisioneiro situated na almofada bond do destino. Um fio da ligação é então esfera ligada à almofada bond da fonte e stitch depois disso ligado à colisão do parafuso prisioneiro na almofada bond do destino. O fio da ligação age como um indutor off-chip ou uma parcela de um indutor off-chip. Em uma incorporação um número de ligação-fios e em condutores da microplaqueta são usados dar forma a um indutor off-chip. A indutância do indutor off-chip pode ser ajustada ou fino-ajustado ajustando uma altura do laço de o um ou mais fio da ligação usado no indutor off-chip. A indutância do indutor off-chip da invenção pode também ser ajustada aumentando ou diminuindo o número dos fios da ligação usados dar forma ao indutor off-chip.
