Method of forming crystalline silicon film by CVD

   
   

A film, typically a silicon-based film, is formed on a substrate by means of a plasma CVD process using a high frequency wave in a condition where a resistance element made of a different material than that of the substrate is provided on the electric path between the substrate and the earth. The resultant film shows a high quality and an improved adhesion strength while it can be formed at a practically high rate.

Un film, typiquement un film silicium-basé, est formé sur un substrat au moyen d'un procédé de CVD de plasma en utilisant une vague à haute fréquence dans une condition où un élément de résistance fait d'un matériel différent que cela du substrat est fourni sur le chemin électrique entre le substrat et la terre. Le film résultant montre une haute qualité et une force améliorée d'adhérence tandis qu'il peut être formé à un taux pratiquement élevé.

 
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