Mask pattern magnification correction method, magnification correction apparatus, and mask structure

   
   

A method of correcting a magnification of a mask pattern formed on a mask substrate. The method includes applying forces to four pressurizing points of an outer periphery of an approximately ring-shaped frame, which supports the mask substrate and has a rectangular window, on substantially extended lines of two diagonal lines of the rectangular window, and adjusting at least an angle, to the extended lines, of a vector of the forces applied to each of the pressurizing points.

Метод исправлять увеличение картины маски сформировал на субстрате маски. Метод вклюает придавать усилия до 4 надувая пункта наружной периферии приблизительно рымовидной рамки, которая поддерживает субстрат маски и имеет прямоугольное окно, на существенн выдвинутых линиях 2 раскосных линий прямоугольного окна, и регулировать по крайней мере угол, к выдвинутым линиям, вектора усилий приложенных к каждому из надувая пунктов.

 
Web www.patentalert.com

< Magnetic memory using perpendicular magnetization film

< Substrate attracting and holding system for use in exposure apparatus

> Image processing apparatus, image processing method and storage medium

> Process cartridge, electrophotographic image forming apparatus and cartridge mounting method

~ 00137