Provided is a method for increasing an etching selectivity of photoresist
material. The method initiates with providing a substrate with a developed
photoresist layer. The developed photoresist layer on the substrate is
formulated to contain a hardening agent. Next, the substrate is exposed to
a gas, where the gas is formulated to interact with the hardening agent. A
portion of the developed photoresist layer is then converted to a hardened
layer where the hardened layer is created by an interaction of the
hardening agent with the gas. Some notable advantages of the discussed
methods of increasing the selectivity of a photoresist include improved
etch profile control. Additionally, by combining fabrication steps such as
the hardening of the photoresist in an etch chamber, downstream etching
processes may be performed without having to transfer the wafer to an
additional chamber, thereby improving wafer throughput while minimizing
handling.
Se è un metodo per l'aumento della selettività acquaforte del materiale del photoresist. I initiates di metodo con fornire ad un substrato uno strato di photoresist sviluppato. Lo strato di photoresist sviluppato sul substrato è formulato per contenere un agente d'indurimento. Dopo, il substrato è esposto ad un gas, in cui il gas è formulato per interagirsi con l'agente d'indurimento. Una parte dello strato di photoresist sviluppato allora è convertita in strato indurito dove lo strato indurito è generato da un'interazione dell'agente d'indurimento con il gas. Alcuni vantaggi notevoli dei metodi discussi di aumento della selettività di un photoresist includono il controllo migliorato di profilo incissione all'acquaforte. Ulteriormente, unendo il montaggio fa un passo come l'indurimento del photoresist in un alloggiamento incissione all'acquaforte, a valle incidente i processi all'acquaforte può essere effettuato senza dovere trasferire la cialda ad un alloggiamento supplementare, quindi migliorante il rendimento della cialda mentre minimizza il maneggiamento.
