Semiconductor device and electronic device

   
   

A channel forming region of a thin-film transistor is covered with an electrode and wiring line that extends from a source line. As a result, the channel forming region is prevented from being illuminated with light coming from above the thin-film transistor, whereby the characteristics of the thin-film transistor can be made stable.

Un canal formant la région d'un transistor en couche mince est couvert d'électrode et la ligne de câblage qui s'étend d'une ligne de source. En conséquence, le canal formant la région est empêché de l'éclairage avec la lumière venant de au-dessus du transistor en couche mince, par lequel les caractéristiques du transistor en couche mince puissent être rendues stables.

 
Web www.patentalert.com

< Formation of patterned silicon-on-insulator (SOI)/silicon-on-nothing (SON) composite structure by porous Si engineering

< Circuit device for solar energy application

> CMOS process for double vertical channel thin film transistor

> Active matrix electro-luminescent display device with an organic leveling layer

~ 00137