At least a channel layer and an etching stopper layer are provided on a
semiconductor substrate in order, a gate electrode that Schottky-contacts
the etching stopper layer is provided on the etching stopper layer, and
InGaP having an In composition ratio of 0.66 through 0.9 is used as the
etching stopper layer in a field effect type compound semiconductor
device.
По крайней мере слой канала и слой затвора вытравливания обеспечены на субстрате в заказе, электроде полупроводника строба который Счюотткы-kontaktiruet слой затвора вытравливания обеспечен на слое затвора вытравливания, и InGaP имея в структурный коэффициент 0.66 через 0.9 использовано как слой затвора вытравливания в составного прибора на полупроводниках типа влияния поля.
