The present invention is a semiconductor structure for light emitting
devices that can emit in the red to ultraviolet portion of the
electromagnetic spectrum. The semiconductor structure includes a Group III
nitride active layer positioned between a first n-type Group III nitride
cladding layer and a second n-type Group III nitride cladding layer, the
respective bandgaps of the first and second n-type cladding layers being
greater than the bandgap of the active layer. The semiconductor structure
further includes a p-type Group III nitride layer, which is positioned in
the semiconductor structure such that the second n-type cladding layer is
between the p-type layer and the active layer.
La presente invenzione è una struttura a semiconduttore per luce che emette i dispositivi che possono emettere nel colore rosso alla parte ultravioletta dello spettro elettromagnetico. La struttura a semiconduttore include uno strato attivo del nitruro del gruppo III posizionato fra un primo n-tipo strato del rivestimento del nitruro del gruppo III e un secondo n-tipo lo strato del rivestimento del nitruro del gruppo III, i bandgaps rispettivi del primo e secondo n-tipo strati del rivestimento che sono più grandi del bandgap dello strato attivo. La struttura a semiconduttore ulteriore include un p-tipo strato del nitruro del gruppo III, che è posizionato nella struttura a semiconduttore tali che il secondo n-tipo strato del rivestimento è fra il p-tipo strato e lo strato attivo.
