An object of the present invention is to suppress a layer-peeling
phenomenon in a semiconductor device comprising at least a ferroelectric
layer and an upper electrode formed thereon while maintaining the
electrical properties of the ferroelectric layer. The semiconductor device
of the present invention is characterized in that an upper electrode and a
ferroelectric layer have a convex region. By this constitution, a layer
peeling can be suppressed. In the present invention, one convex region is
formed on one layer, but a plurality of convex regions may be formed on
one layer. Alternatively, a concave region may be formed in place of the
convex region.
Un objet de la présente invention est de supprimer un phénomène d'couche-épluchage dans un dispositif de semi-conducteur comportant au moins une couche ferroelectric et une électrode supérieure formées là-dessus tout en maintenant les propriétés électriques de la couche ferroelectric. Le dispositif de semi-conducteur de la présente invention est caractérisé parce qu'une électrode supérieure et une couche ferroelectric ont une région convexe. Par cette constitution, un écaillement de couche peut être supprimé. Dans la présente invention, une région convexe est formée sur une couche, mais une pluralité de régions convexes peut être formée sur une couche. Alternativement, une région concave peut être formée au lieu de la région convexe.
