The present invention relates to a novel negative working deep uv
photoresist that is developable in an aqueous alkaline solution, and
comprises a fluorinated polymer, photoactive compound and a crosslinking
agent. The photoresist composition is particularly useful for patterning
with exposure wavelengths of 193 nm and 157 nm.
A invenção atual relaciona-se a um negativo da novela que trabalha o photoresist uv profundo que é developable em uma solução alcalina aqueous, e compreende-se um polímero fluorinated, um composto photoactive e um agente crosslinking. A composição do photoresist é particularmente útil para modelar com wavelengths da exposição de 193 nm e de 157 nm.
