Method of production of dielectric ceramic composition and method of production of electronic device containing dielectric layers

   
   

A method of production of a dielectric ceramic composition having at least a main component of Ba.sub.2 TiO.sub.3, a second subcomponent including at least one compound selected from SiO.sub.2, MO (where M is at least one element selected from Ba, Ca, Sr, and Mg), Li.sub.2 O, and B.sub.2 O.sub.3, and other subcomponents, comprising the step of: mixing in said main component at least part of other subcomponents except for said second subcomponent to prepare a pre-calcination powder, calcining the pre-calcination powder to prepare a calcined powder, and mixing at least said second subcomponent in said calcined powder to obtain the dielectric ceramic composition having molar ratios of the subcomponents to the main component of predetermined ratios. As the other subcomponents, there is a third subcomponent including at least one compound selected from V.sub.2 O.sub.5, MoO.sub.3, and WO.sub.3. A ratio of the third subcomponent to 100 moles of the main component is preferably 0.01 to 0.1 mole.

Un metodo di produzione di una composizione di ceramica dielettrica che ha almeno un componente principale di Ba.sub.2 TiO.sub.3, una seconda subcomponente compreso almeno un residuo scelto da SiO.sub.2, Mo (dove la m. è almeno un elemento scelto da Ba, CA, Sr e magnesio), Li.sub.2 O e B.sub.2 O.sub.3 ed altre subcomponenti, contenenti il punto: mescolando nella parte principale detta del componente almeno di altre subcomponenti tranne la seconda subcomponente detta per preparare una polvere di pre-calcinazione, calcinante la polvere di pre-calcinazione per preparare una polvere calcinata e mescolante almeno detta seconda subcomponente in polvere calcinata detta per ottenere la composizione di ceramica dielettrica che ha rapporti molari delle subcomponenti al componente principale dei rapporti predeterminati. Come le altre subcomponenti, ci è una terza subcomponente compreso almeno un residuo scelto da V.sub.2 O.sub.5, MoO.sub.3 e WO.sub.3. Un rapporto della terza subcomponente a 100 talpe del componente principale è preferibilmente 0.01 - 0.1 talpe.

 
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