Method of preparing indium phosphide heterojunction bipolar transistors

   
   

InP heterojunction bipolar transistors having a base layer of InGaAs which are compositionally graded to engineer the bandgap of the base layer to be larger at the emitter/base junction than at the collector/base junction. The graded bandgap can increase DC current gain and speed of the device. A metalorganic chemical vapor deposition method of preparing InP heterojunction bipolar transistors having a base layer with a relatively high concentration of carbon dopant. The high carbon dopant concentration lowers the base sheet resistivity and turn-on voltage of the device.

Транзисторы гетероперехода inP двухполярные имея низкопробный слой InGaAs compositionally рассортированы для того чтобы проектировать bandgap низкопробного слоя для того чтобы быть большле на соединении emitter/base чем на соединении collector/base. Рассортированное bandgap может увеличить увеличение dc в настоящее время и скорость приспособления. Metalorganic метод низложения химически пара подготовлять транзисторы гетероперехода inP двухполярные имея низкопробный слой с относительно высокой концентрацией dopant углерода. Высокая концентрация dopant углерода понижает низкопробную резистивность листа и turn-on напряжение тока приспособления.

 
Web www.patentalert.com

< Semiconductor memory cell and semiconductor memory device

< Heterojunction bipolar transistor with monolithically integrated junction field effect transistor and method of manufacturing same

> High mobility crystalline planes in double-gate CMOS technology

> Optoelectronic circuit employing a heterojunction thyristor device that performs high speed sampling

~ 00136