A TMR device comprising an antiferromagnetic layer made of an
antiferromagnetic material containing Mn, a magnetization fixed layer made
of a ferromagnetic material, a tunnel barrier layer made of a dielectric
material, and a magnetization free layer made of a ferromagnetic material.
An insulator material layer is inserted in the magnetization fixed layer
at a distance from the antiferromagnetic material layer and the tunnel
barrier layer. One material can be expressed by NX, where X is a first
element selected from the group consisting of oxygen, nitrogen and carbon;
and N is a second element, provided that the bonding energy between the
first and the second elements is higher than the bonding energy between
manganese and the first element. A second material can be expressed by MX,
where M is an element selected from the group consisting of titanium,
tantalum, vanadium, aluminum, europium, and scandium; and X is an element
selected from the group consisting of oxygen, nitrogen and carbon. The
tunnel magnetoresistance effect device suppresses the diffusion of Mn from
the Mn based alloy constituting the antiferromagnetic material layer even
after heat treatment is performed.
Un dispositivo de TMR que abarcaba una capa antiferromagnetic hecha de un material antiferromagnetic que contenía el manganeso, una magnetización fijó la capa hecha de un material ferromagnético, una capa de barrera del túnel hecha de un material dieléctrico, y una capa libre de la magnetización hecha de un material ferromagnético. Una capa material del aislador se inserta en la capa fijada magnetización en una distancia de la capa material antiferromagnetic y de la capa de barrera del túnel. Un material se puede expresar por NX, donde está un primer elemento X seleccionado del oxígeno, del nitrógeno y del carbón que consisten en del grupo; y N es un segundo elemento, a condición de que la energía de la vinculación entre la primera y los segundos elementos es más alta que la energía de la vinculación entre el manganeso y el primer elemento. Un segundo material se puede expresar por MX, donde está un elemento M seleccionado del titanio, del tantalio, del vanadio, del aluminio, del europium, y del scandium que consisten en del grupo; y X es un elemento seleccionado del oxígeno, del nitrógeno y del carbón que consisten en del grupo. El dispositivo del efecto de la magnetorresistencia del túnel suprime la difusión del manganeso de la aleación basada manganeso que constituye la capa material antiferromagnetic incluso después se realice el tratamiento de calor.
