The bottom and the sides of a lower part of recess formed in the substrate
has an insulating structure. A first part of the conductive structure of a
first electric conductivity type is located in the lower part of the
recess. A second part of the conductive structure of a second electric
conductivity type, lower than the first type, is located in an upper part
and borders the region of the substrate at the sides of the recess. The
conductive structure has a diffusion barrier between its first and second
parts. The conductive structure is configured as a bit line of a DRAM cell
configuration with a vertical transistor, whereby S/Du represents the
lower source/drain area and S/Do represents the upper source/drain area
connected to a memory capacitor. Or, the conductive structure is
configured as a memory capacitor and the upper source drain/area is
connected to a bit line.
Die Unterseite und die Seiten eines unteren Teils der Aussparung gebildet im Substrat hat eine isolierende Struktur. Ein erstes Teil der leitenden Struktur einer ersten elektrischen Leitfähigkeitart ist im unteren Teil der Aussparung. Ein zweites Teil der leitenden Struktur einer zweiten elektrischen Leitfähigkeitart, niedriger als die erste Art, ist in einem oberen Teil und faßt die Region des Substrates an den Seiten der Aussparung ein. Die leitende Struktur hat eine Diffusion (Zerstäubung) Sperre zwischen seinen ersten und zweiten Teilen. Die leitende Struktur wird als Spitze Linie einer DRAM-Zelle Konfiguration mit einem vertikalen Transistor zusammengebaut, hingegen S/Du den niedrigeren source/drain Bereich darstellt und S/Do den oberen source/drain Bereich darstellt, der an einen Gedächtniskondensator angeschlossen wird. Oder, die leitende Struktur wird als Gedächtniskondensator zusammengebaut und die obere Quelle drain/area wird an eine Spitze Linie angeschlossen.
