Apparatus and circuit having reduced leakage current and method therefor

   
   

Briefly, in accordance with one embodiment of the invention, an integrated circuit has a voltage generator that selectively increases the voltage potential on the channel region of a transistor relative to the source region of the transistor. The voltage potential may be provided to a diffusion region in the well regions with transistors.

Кратко, в соответствии с одним воплощением вымысла, интегрированная цепь имеет генератор напряжения тока который селективно увеличивает потенциал напряжения тока на зоне канала транзистора по отношению к зоне источника транзистора. Потенциал напряжения тока может быть снабжен зона диффузии в хороших зонах с транзисторами.

 
Web www.patentalert.com

< Semiconductor device, method of manufacturing the same and liquid jet apparatus

< Method for fabricating semiconductor device

> Semiconductor device and method of manufacturing the same

> Method of making a polycide interconnection layer having a silicide film formed on a polycrystal silicon for a semiconductor device

~ 00135