A semiconductor device has a semiconductor substrate and a conductive layer
formed above the semiconductor substrate. The conductive layer has a
silicon film, a silicide film formed on the silicon film, and a high
melting-point metal film formed on the silicide film. The silicon film has
a non-doped layer, which does not contain impurities, and an impurity
layer which is formed on the non-doped layer and contains impurities. The
silicide film is formed on the impurity layer of the silicon film.
Un dispositivo a semiconduttore ha un substrato a semiconduttore e uno strato conduttivo formati sopra il substrato a semiconduttore. Lo strato conduttivo ha una pellicola del silicone, una pellicola del silicide formata sulla pellicola del silicone e su un'alta pellicola del metallo di melting-point formata sulla pellicola del silicide. La pellicola del silicone ha uno strato non-verniciato, che non contiene le impurità e uno strato dell'impurità che è formato sullo strato non-verniciato e contiene le impurità. La pellicola del silicide è formata sullo strato dell'impurità della pellicola del silicone.
