Methods and apparatus for predicting oxygen-induced stacking fault density in wafers

   
   

Methods and apparatus for predicting the density of oxygen-induced stacking faults (OSF) on a surface of a wafer by measuring the surface roughness before and after a surface damaging process is presented. Such damage can be produced by, but not limited to, a wet sand blast (WSB) process, a dry sand blast (DSB) process, lapping with an abrasive material, surface grinding, and by laser irradiation. The surface roughness resulting from the surface damage is quantified and compared with the pre-damaged surface roughness. The difference between the pre- and post-damaged surface roughness is determined and correlated with oxygen-induced stacking fault density to surface roughness correlation data to obtain the predicted oxygen-induced stacking fault density. An automated computer-assisted wafer OSF density evaluation apparatus is provided comprising a computer-based comparator comprising an electronic OSF correlation database and means for inputting pre- and post-damaged surface roughness data into the computer-based comparator, the comparator adapted to compute a delta surface roughness value, the delta being the difference between the post- and pre-damaged surface roughness data, the comparator adapted to correlate the delta surface roughness value with oxygen-induced stacking fault density to surface roughness correlation data to obtain the predicted oxygen-induced stacking fault density for the wafer.

Os métodos e o instrumento para predizer a densidade das falhas de empilhamento oxigênio-induzidas (OSF) em uma superfície de um wafer medindo a aspereza de superfície um processo prejudicial de superfície são apresentados before.and.after. Tais danos podem ser produzidos perto, mas não ser limitados a, um processo molhado da explosão da areia (WSB), um processo seco da explosão da areia (DSB), dobrando com um material abrasivo, moer de superfície, e pelo irradiation do laser. A aspereza de superfície que resulta dos danos de superfície quantified e é comparada com a aspereza de superfície pre-danificada. A diferença entre pre- e aspereza de superfície borne-danificada é determinada e correlacionada com a densidade oxigênio-induzida da falha de empilhamento aplainar os dados da correlação da aspereza para obter a densidade oxigênio-induzida predita da falha de empilhamento. Um instrumento computer-assisted automatizado da avaliação da densidade do wafer OSF é fornecido que compreende um comparador por computador que compreende uma base de dados eletrônica e meios da correlação de OSF inputting dados de superfície borne-danificados pre- e da aspereza no comparador por computador, o comparador adaptado para computar um valor da aspereza da superfície do delta, o delta que é a diferença entre o borne e pre-danificou os dados de superfície da aspereza, o comparador adaptado para correlacionar o valor da aspereza da superfície do delta com a densidade oxigênio-induzida da falha de empilhamento para aplainar os dados da correlação da aspereza para obter a densidade oxigênio-induzida predita da falha de empilhamento para o wafer.

 
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