A light emitting layer made of a group III-V nitride semiconductor is
formed between a first semiconductor layer made of an n-type group III-V
nitride semiconductor and a second semiconductor layer made of a p-type
group III-V nitride semiconductor. In side portions of the second
semiconductor layer, oxidized regions are formed through the oxidization
of the second semiconductor layer itself so as to be spaced apart from
each other in the direction parallel to the plane of the light emitting
layer. A p-side electrode is formed across the entire upper surface of the
second semiconductor layer including the oxidized regions, and an n-side
electrode is formed on one surface of the first semiconductor layer that
is away from the second semiconductor layer.
Uno strato d'emissione chiaro fatto di un semiconduttore del nitruro del gruppo III-V è formato fra un primo strato a semiconduttore fatto di un n-tipo semiconduttore del nitruro del gruppo III-V e un secondo strato a semiconduttore fatto di un p-tipo semiconduttore del nitruro del gruppo III-V. Nelle parti laterali del secondo strato a semiconduttore, le regioni ossidate sono formate con l'ossidazione del secondo strato a semiconduttore in se in modo da essere spaziate oltre a vicenda nel senso parallelo al piano dello strato d'emissione chiaro. Un elettrodo del p-lato è formato attraverso l'intera superficie superiore del secondo strato a semiconduttore compreso le regioni ossidate e un elettrodo del n-lato è formato su una superficie del primo strato a semiconduttore che è assente dal secondo strato a semiconduttore.
