A non-volatile semiconductor memory device includes a memory cell array
with electrically rewritable non-volatile memory cells laid out therein,
an address selector circuit for performing memory cell selection of the
memory cell array, a data read/write circuit arranged to perform data read
of the memory cell array and data write to the memory cell array, and a
control circuit for executing a series of copy write operations in such a
manner that a data output operation of from the data read/write circuit to
outside of a chip and a data write operation of from the data read/write
circuit to the memory cell array are overlapped each other, the copy write
operation including reading data at a certain address of the memory cell
array into the data read/write circuit, outputting read data held in the
read/write circuit to outside of the chip and writing write data into
another address of the memory cell array, the write data being a modified
version of the read data held in the data read/write circuit as externally
created outside the chip.
Eine permanente Halbleiterspeichervorrichtung schließt eine Speicherzelle Reihe mit den elektrisch rewritable Permanentspeicherzellen ein, die darin, ein Adresse Wählstromkreis für das Durchführen der Speicherzelle Vorwähler der Speicherzelle Reihe ausgebritten werden, schreiben ein Datenlese-Schreibstromkreis, der geordnet werden, um durchzuführen Datenlesen von der Speicherzelle Reihe und Daten zur Speicherzelle Reihe, und ein Steuerstromkreis für die Durchführung einer Reihe der Kopie schreiben Betriebe, derart daß eine Datenausgabeoperation von des Datenlese-Schreibstromkreises zu außerhalb einem Span und Daten schreiben Betrieb von der Daten, die Lese-Schreibstromkreis zur Speicherzelle Reihe mit sich decken, die Kopie schreiben Betrieb einschließlich Lesedaten an bestimmte Adresse der Speicherzelle Reihe in den Datenlese-Schreibstromkreis, die gelesenen Daten ausgebend, die im Lese-Schreibstromkreis außerhalb zum Span gehalten werden und schreibend schreiben Daten in eine andere Adresse der Speicherzelle Reihe, die schreibendaten, die eine geänderte Version der gelesenen Daten sind, die im Datenlese-Schreibstromkreis gehalten werden, wie außen verursacht außerhalb des Spanes.
