Thin film transistor for supplying power to element to be driven

   
   

One or more element driving TFTs (20) for controlling the amount of current supplied from a power supply line VL is (are) provided between an organic EL element (50) and the power supply line VL. The element driving TFT (20) is placed so that its channel length direction is parallel to the longitudinal direction of the pixel, the extension direction of a data line for supplying a data signal to a switching TFT (10) for controlling the element driving TFT (20), or the scan direction of laser annealing for polycrystallizing the active layer (16) of the TFT (20).

Uno o più l'elemento che guida TFTs (20) per il controllo della quantità di corrente fornita da una linea VL del gruppo di alimentazione (sia) è fornito fra un elemento organico di EL (50) e la linea VL del gruppo di alimentazione. L'elemento che guida TFT (20) è disposto in modo che il relativo senso di lunghezza di scanalatura sia parallelo al senso longitudinale del pixel, il senso di estensione di una linea di dati per assicurare i dati segnala ad una commutazione TFT (10) per il controllo dell'elemento che guida TFT (20), o al senso di esplorazione della ricottura del laser per polycrystallizing lo strato attivo (16) del TFT (20).

 
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