Conventionally, a particle/defect inspection apparatus outputs a total
number of detected particles/defects as the result of detection. For
taking countermeasures to failures in manufacturing processes, the
particles/defects detected by the inspection apparatus are analyzed. Since
the inspection apparatus outputs a large number of detected
particles/defects, an immense time is required for analyzing the detected
particles/defects, resulting in a delay in taking countermeasures to a
failure in the manufacturing processes. In the present invention, an
apparatus for optically inspecting particles or defects relates a particle
or defect size to a cause of failure in an inspection result. A data
processing circuit points out a cause of failure from the statistics on
the inspection result, and displays information on the inspection result.
A failure analysis is conducted by setting a threshold for identifying a
failure in each of regions on a semiconductor device or the like to
statistically evaluate detected particles.
Herkömmlich gibt ein particle/defect Kontrolle Apparat eine Gesamtanzahl von ermitteltem particles/defects als das Resultat der Abfragung aus. Für das Nehmen von von Gegenmaßnahmen zu den Ausfällen in den Herstellungsverfahren, werden die particles/defects, die durch den Kontrolle Apparat ermittelt werden, analysiert. Da der Kontrolle Apparat viel ermitteltes particles/defects ausgibt, wird eine unermeßliche Zeit für das Analysieren des ermittelten particles/defects angefordert, und das resultiert in, verzögert, wenn man Gegenmaßnahmen zu einem Ausfall in den Herstellungsverfahren nimmt. In der anwesenden Erfindung bezieht ein Apparat für Partikel oder Defekte optisch kontrollieren eine Partikel- oder Defektgröße auf einer Ursache des Ausfalls in einem Kontrolle Resultat. Ein datenverarbeitender Stromkreis unterstreicht eine Ursache des Ausfalls von den Statistiken über das Kontrolle Resultat und Displayinformation über das Kontrolle Resultat. Eine Ausfallanalyse wird geleitet, indem man eine Schwelle für das Kennzeichnen einer Störung in jeder von Regionen auf einem Halbleiterelement oder dergleichen, ermittelte Partikel statistisch auszuwerten einstellt.
