According to the invention, in selecting an analyzed area of a scanning
atom probe (SAP), there is adopted a method of using a tip of the lead-out
electrode of SAP as a scanning probe of a scanning tunneling microscope
(STM) and drawing a surface shape of a sample to thereby select the
analyzed area and with regard to the tip of the lead-out electrode of SAP,
there is formed an exclusive probe in a needle-like shape by a CVD
micromaching technology or a lithographic method using focused ion beam in
order to promote accuracy of the scanning probe of STM. Further, a conical
dome of a conductive material is formed at the tip of the conical
electrode mechanically formed by using a CVD fabricating method using
focused ion beam and the tip is shaped by sputter etching to thereby form
the lead-out electrode near to an ideal shape.
Согласно вымыслу, в выбирать проанализированную зону зонда атома скеннирования (ПОДРЫВА), там принимает методу использования конца vedite-vne электрод ПОДРЫВА по мере того как зонд скеннирования микроскопа прокладывать тоннель скеннирования (STM) и рисующ поверхностную форму образца таким образом для того чтобы выбрать проанализированную область и with regard to конец vedite-vne электрод ПОДРЫВА, там формирует исключительному зонду в иглоподобной форме технологией cvd micromaching или литографским методом использующ сфокусированный луч иона для того чтобы повысить точность зонда скеннирования STM. Более потом, конический купол проводного материала сформирован на конце конического электрода механически сформированного путем использование метода cvd изготовляя использующ сфокусированный луч иона и конец сформирован мимо sputter вытравливание таким образом для того чтобы сформировать vodit-vne электрод ближайше к идеально форме.
