A semi-conductor device includes a silicon substrate. A gate oxide
dielectric layer is on the silicon substrate. A gate conductor includes a
relatively thin layer of germanium on the dielectric layer. A relatively
thick layer of gate conductor material is provided on the layer of
germanium. Incorporating germanium at the gate conductor interface with
the gate oxide stabilizes the gate oxide by providing a means of drawing
charge trapping sites away from the oxide.
Ein Halbleiterelement schließt ein Silikonsubstrat mit ein. Eine dielektrische Schicht des Gatteroxids ist auf dem Silikonsubstrat. Ein Gatterleiter schließt ein verhältnismäßig Dünnschicht des Germaniums auf der dielektrischen Schicht mit ein. Eine verhältnismäßig starke Schicht Gatterleitermaterial wird auf der Schicht des Germaniums zur Verfügung gestellt. Verbindenes Germanium an der Gatterleiterschnittstelle mit dem Gatteroxid stabilisiert das Gatteroxid, indem es Mittel des Zeichnens der Aufladung Abfangenaufstellungsorte weg vom Oxid zur Verfügung stellt.
