A semiconductor device having a photo diode which has substantially the
same sensitivity to a plurality of light having different wavelengths,
includes a first and a second conductivity type semiconductor layer formed
at a surface layer portion of the first conductivity type semiconductor
layer, wherein the sensitivity to light of a first wavelength and a second
wavelength which is different from the first wavelength, are made
substantially the same by designing a region in which a depletion layer
spreads from a junction of the first and second conductivity type
semiconductor layers and when an inverse bias is applied to the first and
second conductivity type semiconductor layers, for example, by designing
it to spread in a region of 3 to 6 .mu.m or a region of 2 to 7 .mu.m from
the surface of the second conductivity type semiconductor layer in the
depth direction.
Um dispositivo de semicondutor que tem um diodo da foto que tenha substancialmente a mesma sensibilidade a um plurality da luz que tem wavelengths diferentes, inclui uns primeiros e um segundos tipo camada do conductivity do semicondutor dada forma em uma parcela da camada de superfície do primeiro tipo camada do conductivity do semicondutor, wherein a sensibilidade à luz de um primeiro wavelength e de um segundo wavelength que seja diferente do primeiro wavelength, é feita substancialmente ao mesmos projetando uma região em que uma camada de depletion espalha de uma junção do primeiro e segundo tipo camadas do conductivity do semicondutor e quando uma polarização inversa for aplicada ao primeiro e segundo tipo as camadas do conductivity do semicondutor, para o exemplo, projetando o espalhar em uma região do mu.m 3 a 6 ou uma região do mu.m 2 a 7 da superfície do segundo tipo camada do conductivity do semicondutor no sentido da profundidade.
