A semiconductor integrated circuit comprises a non-volatile semiconductor
memory and a capacitor formed respectively on a first region and a second
region of a substrate, wherein an insulation film of the non-volatile
semiconductor memory has a thickness different from a capacitor insulation
film of the capacitor.
Ένα ολοκληρωμένο κύκλωμα ημιαγωγών περιλαμβάνει μια αμετάβλητη μνήμη ημιαγωγών και έναν πυκνωτή που διαμορφώνονται αντίστοιχα σε μια πρώτη περιοχή και μια δεύτερη περιοχή ενός υποστρώματος, όπου μια ταινία μόνωσης της αμετάβλητης μνήμης ημιαγωγών έχει ένα πάχος διαφορετικό από μια ταινία μόνωσης πυκνωτών του πυκνωτή.
