An IGBT structure includes successive regions whose conductivities have
alternating signs. The structure is dimensioned for punch-through and is
provided with two buffer layers. As a result, the component becomes
symmetrically blocking and is suitable as a semiconductor switch, e.g.,
for converters.
Uma estrutura de IGBT inclui as regiões sucessivas cujos os conductivities têm sinais alternos. A estrutura é calculada as dimensões para perfurador-através de e fornecida com as duas camadas do amortecedor. Em conseqüência, o componente torna-se simetricamente de obstrução e é-se apropriado como um interruptor do semicondutor, por exemplo, para conversores.
