Semiconductor memory device capable of testing data line redundancy replacement circuit

   
   

In a shift switch circuit for replacing a data line, a transmission gate circuit connecting node N2 corresponding to ith write data line to node N4 corresponding to ith read data line is provided. An operation of the shift switch circuit can be confirmed according to whether or not an output corresponding to provided data input signal D is observed as data output signal Q. Preferably, a transmission gate connecting i+1th write data line to an output data line is further provided, in order to further ensure operation confirmation. When a fuse circuit is set to replace a data line, ratio of successful chip repairing will be higher.

In einem Schiebeschalterstromkreis für das Ersetzen einer Datenleitung, schreiben ein anschließendes N2 Nullpunkt des Getriebegatterstromkreises, das ith entspricht, Datenleitung zum Nullpunkt N4, der ith gelesene Datenleitung entspricht, wird zur Verfügung gestellt. Ein Betrieb des Schiebeschalterstromkreises kann bestätigt werden, je nachdem ob oder nicht ein Ausgang, der zur Verfügung gestelltem Dateneingabesignal D entspricht, als Datenausgangssignal Q beobachtet wird. Vorzugsweise schreiben ein Getriebegatter, das i+1th anschließt, Datenleitung zu einer Ausgang Datenleitung wird zur Verfügung gestellt weiter, um Betrieb Bestätigung weiter sicherzustellen. Wenn ein Sicherung Stromkreis eingestellt wird, um eine Datenleitung zu ersetzen, ist Verhältnis der erfolgreichen Spanreparatur höher.

 
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< Optical component having flat top output

< Pilot signals for synchronization and/or channel estimation

> Semiconductor memory device having improved replacement efficiency of defective word lines by redundancy word lines

> Memory device having dual power ports and memory system including the same

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