A semiconductor memory device that efficiently replaces defective word
lines by redundancy word lines. The semiconductor memory device includes a
plurality of banks, each bank having a plurality of normal word lines and
a plurality of redundancy word lines. A defective word line can be
replaced by the redundancy word lines when defects occur in the normal
word lines. When word line defects occur, redundancy word lines banks
adjacent to the bank having the defective work lines may be used.
Un dispositif de mémoire à semiconducteurs qui remplace efficacement le mot défectueux raye par des lignes de mot de redondance. Le dispositif de mémoire à semiconducteurs inclut une pluralité de banques, chaque banque ayant une pluralité de lignes normales de mot et une pluralité de lignes de mot de redondance. Une ligne défectueuse de mot peut être remplacée par les lignes de mot de redondance quand les défauts se produisent dans les lignes normales de mot. Quand la ligne défauts de mot se produisent, des lignes banques de mot de redondance à côté de la banque ayant les lignes défectueuses de travail peuvent être employées.
