In a semiconductor laser device: a multilayer structure including a
plurality of semiconductor layers is formed on a substrate; and at least
one dielectric layer is formed on each of two end facets of the multilayer
structure, where the at least one dielectric layer on each of the two end
facets includes a reflectance control layer. In addition, at least one
portion of the multilayer structure in at least one vicinity of at least
one of the two end facets contains 10 to 1,500 times more oxygen than the
other portions of the multilayer structure.
Em um dispositivo do laser do semicondutor: uma estrutura multilayer including um plurality de camadas do semicondutor é dada forma em uma carcaça; e ao menos uma camada dieléctrica é dada forma em cada um de dois facets do fim da estrutura multilayer, onde a ao menos uma camada dieléctrica em cada um dos dois facets do fim inclui uma camada do controle da reflectância. Além, ao menos uma parcela da estrutura multilayer ao menos em uma vizinhança ao menos de um dos dois facets do fim contem 10 a 1.500 vezes mais oxigênio do que as outras parcelas da estrutura multilayer.
