Surface-emitting laser having lateral current injection

   
   

The invention describes a surface-emitting laser (VCSEL) with lateral current injection. The pump current (4), from the contact face (2) on the decoupling side, in a first region (12) outside the resonator volume, is carried predominantly parallel to the resonator axis, and in a second region (13) is conducted predominantly perpendicularly to the active volume (9). A contact geometry is also described, which brings about automatic regulation of the size of the active volume (9) as a function of the pump current (4).

Die Erfindung beschreibt einen Oberfläche-ausstrahlenden Laser (VCSEL) mit seitlicher gegenwärtiger Einspritzung. Der Pumpe Strom (4), vom Kontaktgesicht (2) auf der entkoppelnden Seite, in einer ersten Außenseite der Region (12) das Resonatorvolumen, ist zur Resonatormittellinie getragenes überwiegend paralleles, und in einer zweiten Region wird (13) überwiegend senkrecht zum aktiven Volumen (9) geleitet. Eine Kontaktgeometrie wird auch beschrieben, die ungefähr automatische Regelung der Größe des aktiven Volumens (9) als Funktion des Pumpe Stromes (4) holt.

 
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< Semiconductor laser device and method of manufacturing same

< GaInNAsSb quantum well semiconductor devices

> Semiconductor laser device, method for fabricating the same, and optical disk apparatus

> Laser amplifying system

~ 00134