In a solid-state image pick-up device of FIG. 1, a plurality of
photoelectric converting devices 100 having almost square light receiving
regions are provided like a tetragonal grid over the surface of a
semiconductor substrate and a plurality of vertical transfer sections 200
are provided corresponding to the respective photoelectric converting
device strings respectively. The vertical transfer section 200 includes a
vertical transfer channel and a plurality of vertical transfer electrodes
provided on the upper layer of the vertical transfer channel, and the
vertical transfer channel is provided in winding shape between the
photoelectric converting devices 100 constituting the corresponding
photoelectric converting device strings.
En un dispositivo de estado sólido de la recogida de la imagen de fig. 1, una pluralidad de los dispositivos que convierten fotoeléctricos 100 que tienen luz casi cuadrada el recibir de regiones se proporciona como una rejilla tetragonal sobre la superficie de un substrato del semiconductor y una pluralidad de las secciones verticales 200 de la transferencia es el corresponder proporcionado a las secuencias fotoeléctricas respectivas del dispositivo que convierten respectivamente. La sección vertical 200 de la transferencia incluye un canal vertical de la transferencia y una pluralidad de electrodos verticales de la transferencia proporcionados en la capa superior del canal vertical de la transferencia, y el canal vertical de la transferencia se proporciona en forma de la bobina entre los dispositivos que convierten fotoeléctricos 100 que constituyen las secuencias fotoeléctricas correspondientes del dispositivo que convierten.
