Method and apparatus for reducing microtrenching for borderless vias created in a dual damascene process

   
   

A method of making a semiconductor device includes providing a first element formed of a first substantially electrically conductive material and having an upper surface. A second element adjacent to the first element is provided. The second element is formed of a first substantially non-electrically conductive material. An upper surface of the second element slopes downwardly toward the upper surface of the first element. A first layer of a second substantially non-electrically conductive material is disposed over the upper surface of the first element and the upper surface of the second element. The first layer has a thickness in the vertical direction that is greater in an area over the downward slope of the second element than in an area over the first element. An etching process is performed such that the layer is perforated above the upper surface of the first element and imperforated in the vertically thicker area above the downwardly sloping upper surface of the second element.

Une méthode de la fabrication d'un dispositif de semi-conducteur inclut fournir un premier élément constitué d'un premier essentiellement électriquement matériel conducteur et avoir un extrados. Un deuxième élément à côté du premier élément est fourni. Le deuxième élément est constitué d'un premier matériel essentiellement non-électrique conducteur. Un extrados du deuxième élément incline de haut en bas vers l'extrados du premier élément. Une première couche d'un matériel essentiellement non-électrique conducteur de seconde est disposée au-dessus de l'extrados du premier élément et de l'extrados du deuxième élément. La première couche a une épaisseur dans la direction verticale qui est plus grande dans un secteur au-dessus de la pente de haut en bas du deuxième élément que dans un excédent de secteur le premier élément. Un processus gravure à l'eau-forte est effectué tels que la couche est perforée au-dessus de l'extrados du premier élément et imperforated dans le secteur verticalement plus épais au-dessus de l'extrados de haut en bas en pente du deuxième élément.

 
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< Method for electroless deposition of phosphorus-containing metal films onto copper with palladium-free activation

< Mechanically scanned wet chemical processing

> Semiconductor device and manufacturing method thereof

> Matrix type piezoelectric/electrostrictive device and manufacturing method thereof

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