A magnetic memory device includes a magnetoresistance configured to store
information. A first wiring is provided along a first direction. The first
wiring has a function of applying a magnetic field to the
magnetoresistance element. The first wiring has a first surface and a
second surface. The second surface faces the magnetoresistance element and
the first surface is opposite to it. The second surface is smaller in
width than the first surface.
Ein magnetisches größtintegriertes Speicherbauelement schließt einen Magnetwiderstand ein, der zusammengebaut wird, um Informationen zu speichern. Eine erste Verdrahtung wird entlang einer ersten Richtung zur Verfügung gestellt. Die erste Verdrahtung hat eine Funktion des Anwendens ein magnetisches aufzufangen am Magnetwiderstand Element. Die erste Verdrahtung hat eine erste Oberfläche und eine zweite Oberfläche. Die zweite Oberfläche stellt das Magnetwiderstand Element gegenüber und die erste Oberfläche ist gegenüber ihr. Die zweite Oberfläche ist in der Breite als die erste Oberfläche kleiner.
