It is an object of the present invention to provide a ferroelectric
capacitor which maintains high ferroelecticity. A silicon oxide layer 2, a
lower electrode 12, a ferroelectric layer 8 and an upper electrode 10 are
formed on a silicon substrate 2. The lower electrode 12 is formed by an
alloy layer made of iridium and platinum. The alloy layer of the lower
electrode 12 can be formed under appropriate lattice constant correspond
with a kind and composition of the ferroelectric layer 8. So that, a
ferroelectric layer having excellent ferroelectricity can be obtained.
Also, it is possible to prevent vacancy of oxygen in the ferroelectric
layer 8.
É um objeto da invenção atual para fornecer um capacitor ferroelectric que mantenha o ferroelecticity elevado. Uma camada 2 do óxido do silicone, um elétrodo mais baixo 12, uma camada ferroelectric 8 e um elétrodo superior 10 são dados forma em uma carcaça 2 do silicone. O elétrodo mais baixo 12 é dado forma por uma camada da liga feita do iridium e da platina. A camada da liga do elétrodo mais baixo 12 pode ser dada forma sob a constante apropriada do lattice corresponde com um tipo e uma composição da camada ferroelectric 8. De modo que, uma camada ferroelectric que tem o ferroelectricity excelente possa ser obtida. Também, é possível impedir a vacância do oxigênio na camada ferroelectric 8.
