Silicon carbide films are grown by carburization of silicon to form
insulative films. In one embodiment, the film is used to provide a gate
insulator for a field effect transistor. The film is grown in a
microwave-plasma-enhanced chemical vapor deposition (MPECVD) system. A
silicon substrate is fast etched in dilute HF solution and rinsed. The
substrate is then placed in a reactor chamber of the MPECVD system in
hydrogen along with a carbon containing gas. The substrate is then
inserted into a microwave generated plasma for a desired time to grow the
film. The microwave power varies depending on substrate size. The growth
of the film may be continued following formation of an initial film via
the above process by using a standard CVD deposition of amorphous SiC. The
film may be used to form gate insulators for FET transistors in DRAM
devices and flash type memories. It may be formed as dielectric layers in
capacitors in the same manner.
Οι ταινίες καρβιδίου του πυριτίου αυξάνονται από carburization του πυριτίου για να διαμορφώσουν τις insulative ταινίες. Σε μια ενσωμάτωση, η ταινία χρησιμοποιείται για να παρέχει έναν μονωτή πυλών για μια κρυσταλλολυχνία επίδρασης τομέων. Η ταινία αυξάνεται σε ένα μικρόκυμα-πλάσμα-ενισχυμένο σύστημα απόθεσης χημικού ατμού (MPECVD). Ένα υπόστρωμα πυριτίου χαράζεται γρήγορα στην αραιή λύση HF και ξεπλένεται. Το υπόστρωμα τοποθετείται έπειτα σε μια αίθουσα αντιδραστήρων του συστήματος MPECVD στο υδρογόνο μαζί με έναν άνθρακα που περιέχει αέριο. Το υπόστρωμα παρεμβάλλεται έπειτα σε ένα παραγμένο μικρόκυμα πλάσμα για έναν επιθυμητό χρόνο να αυξηθεί η ταινία. Η δύναμη μικροκυμάτων ποικίλλει ανάλογα με το μέγεθος υποστρωμάτων. Η αύξηση της ταινίας μπορεί να συνεχιστεί μετά από το σχηματισμό μιας αρχικής ταινίας μέσω της ανωτέρω διαδικασίας με τη χρησιμοποίηση μιας τυποποιημένης cvd απόθεσης άμορφου SiC. Η ταινία μπορεί να χρησιμοποιηθεί για να διαμορφώσει τους μονωτές πυλών για τις κρυσταλλολυχνίες FET στις συσκευές DRAM και τις μνήμες τύπων λάμψης. Μπορεί να διαμορφωθεί ως διηλεκτρικά στρώματα στους πυκνωτές με τον ίδιο τρόπο.
