Asymmetric patterned magnetic memory

   
   

This invention provides an asymmetrically patterned magnetic memory storage device. In a particular embodiment at least one magnetic memory cell is provided. Each magnetic memory cell provides at least one ferromagnetic data layer of a first size, the data layer characterized by an alterable orientation of magnetization, an intermediate layer in contact with the data layer and at least one ferromagnetic reference layer of a second size, the reference layer characterized by a reference magnetic field. The reference layer is in contact with the intermediate layer, opposite from and asymmetric to the data layer. The magnetic memory cell is characterized as having only one-end involvement. More specifically, the asymmetric alignment provides that only one set of magnetic poles are in substantial vertical alignment, and as such subject to the strong influence of one another.

Этот вымысел обеспечивает несимметрично сделанное по образцу магнитное запоминающее устройство памяти. В определенном воплощении по крайней мере обеспечен один магнитный ячейкы памяти. Каждый магнитный ячейкы памяти обеспечивает по крайней мере один сегнетомагнитный слой данных первого размера, слоя данных, котор характеризует alterable ориентация замагничивания, промежуточного слоя in contact with слой данных и по крайней мере один сегнетомагнитный слой второго размера, слой справки справки, котор характеризует поле справки магнитное. Слой справки in contact with промежуточный слой, противоположный от и асимметричный к слоя данных. Магнитный ячейкы памяти охарактеризован как имеющ только запутанность одн-konqa. Более специфически, асимметричное выравнивание обеспечивает что только один комплект магнитных полюсов находится в существенном вертикальном выравнивании, и как такие subject to сильное влияние одного другое.

 
Web www.patentalert.com

< Kini-3 motor protein and methods for its use

< Sulfonamide compounds

> High efficiency low pass filter

> Aerosol process for fabricating discontinuous floating gate microelectronic devices

~ 00133