A Group III nitride compound semiconductor light-emitting element (flip
chip type light-emitting element) provided with a p-side electrode and an
n-side electrode formed on one surface side, wherein the p-side electrode
includes: a first metal layer containing Ag and formed on a p-type
semiconductor layer; a protective film with which the first metal layer
except a part region is covered; and a second metal layer not containing
Ag and formed on the protective film.
Μια ομάδα ΙΙΙ εκπέμπον φως στοιχείο ημιαγωγών νιτριδίων σύνθετο (εκπέμπον φως στοιχείο τύπων τσιπ κτυπήματος) που παρέχεται ένα π-δευτερεύον ηλεκτρόδιο και ένα ν-δευτερεύον ηλεκτρόδιο που διαμορφώνονται από μια πλευρά επιφάνειας, όπου το π-δευτερεύον ηλεκτρόδιο περιλαμβάνει: ένα πρώτο στρώμα μετάλλων που περιέχει τον άργυρο και που διαμορφώνει σε ένα στρώμα ημιαγωγών π-τύπων μια προστατευτική ταινία με την οποία το πρώτο στρώμα μετάλλων εκτός από μια περιοχή μερών καλύπτεται και ένα δεύτερο στρώμα μετάλλων που δεν περιέχει τον άργυρο και που διαμορφώνει στην προστατευτική ταινία.
