An SOI MOSFET having a body contact for preventing the floating body effect
is provided. The body contact is a trench perforating a body and a buried
oxide layer to a semiconductor substrate. The trench is filled with a
conductive material to electrically connect the body to the semiconductor
substrate. Impurity ions are implanted into a predetermined region of the
semiconductor substrate in contact with the lower portion of the body
contact to form an ohmic contact. In the SOI MOSFET, an additional metal
interconnection line is not needed to supply power to the body. Also,
malfunction of a circuit due to stray capacitance of a contact can be
prevented.
Un MOSFET di SOI che ha un contatto del corpo per impedire l'effetto di galleggiante del corpo è fornito. Il contatto del corpo è una trincea che perfora un corpo e uno strato sepolto dell'ossido ad un substrato a semiconduttore. La trincea è riempita di materiale conduttivo per collegare elettricamente il corpo al substrato a semiconduttore. Gli ioni dell'impurità sono impiantati in una regione predeterminata del substrato a semiconduttore in contatto con la parte più bassa del contatto del corpo per formare un contatto ohmico. Nel MOSFET di SOI, una linea supplementare di interconnessione del metallo non è necessaria assicurare l'alimentazione al corpo. Inoltre, la disfunzione di un circuito dovuto la capacità esterna di un contatto può essere evitata.
