There is described an organic thin-film transistor including an active
layer made of organic semiconductor and a manufacturing method for the
organic thin-film transistor. In particular, the invention concerns an
organic thin-film transistor capable of being formed on a flexible base
board made of a polymer material and a manufacturing method for the same.
The organic semiconductor device, includes a drain electrode; a source
electrode; a gate electrode; a channel that is made of an organic
semiconductor material and is disposed between the drain electrode and the
source electrode; and an insulation film that is disposed between the gate
electrode and the channel; wherein the insulation film is formed under an
atmospheric pressure environment by employing a plasma processing.
Se describe un transistor thin-film orgánico incluyendo una capa activa hecha del semiconductor orgánico y un método de fabricación para el transistor thin-film orgánico. En detalle, la invención se refiere a un transistor thin-film orgánico capaz de la formación en un tablero bajo flexible hecho de un material de polímero y de un método de fabricación para igual. El dispositivo de semiconductor orgánico, incluye un electrodo del dren; un electrodo de la fuente; un electrodo de puerta; un canal que se hace de un material orgánico del semiconductor y se dispone entre el electrodo del dren y el electrodo de la fuente; y una película del aislamiento que se dispone entre el electrodo de puerta y el canal; en donde la película del aislamiento es formada bajo ambiente de la presión atmosférica empleando un proceso del plasma.
