A DFB type semiconductor laser device including a laser substrate, a
grating layer, an insulating layer and an electrode layer, which are
laminated in the given order. The insulating layer includes a through
groove or grooves extending to the grating layer in a direction in which a
resonator of the laser device is formed, and the electrode layer contacts
the grating layer and a clad layer.
Een DFB de laserapparaat van de typehalfgeleider met inbegrip van een lasersubstraat, een grating laag, een het isoleren laag en een elektrodenlaag, dat in de bepaalde orde gelamineerd zijn. De het isoleren laag omvat a door groef of groeven die zich tot de grating laag uitbreiden in een richting waarin een resonator van het laserapparaat wordt gevormd, en de elektrodenlaag contacteert de grating laag en een beklede laag.
