Silicon-chromium cathode targets having 5 to 80 weight percent chromium are
used to sputter absorbing coatings of silicon-chromium-containing material
in atmospheres of inert gas such as argon, reactive gases such as
nitrogen, oxygen, and mixtures thereof to form metallic films and films of
nitrides, oxides, and oxynitrides of metals. Chromium in the cathode
target in the range of 5 to 80 weight percent provides target stability
and enhanced sputtering rates over targets of silicon alone and are
comparable to the target stability and sputtering rates of silicon-nickel
targets, Chromium in the target may be replaced in part with nickel,
preferably in the range of 5 to 15 weight percent, to produce coatings of
silicon-chromium-nickel and the oxides, nitrides and oxynitrides thereof.
Οι στόχοι καθόδων πυρίτιο-χρωμίου που έχουν το χρώμιο 5 έως 80 τοις εκατό βάρους χρησιμοποιούνται για να ψεκάσουν τα απορροφώντας επιστρώματα να πυρίτιο-χρώμιο-περιάσχουν το υλικό στις ατμόσφαιρες αδρανούς αέριο όπως το αργό, αντιδραστικά αέρια όπως το άζωτο, το οξυγόνο, και τα μίγματα για να διαμορφώσουν επ' αυτού τις μεταλλικές ταινίες και τις ταινίες των νιτριδίων, των οξειδίων, και oxynitrides των μετάλλων. Το χρώμιο στο στόχο καθόδων στη σειρά των τοις εκατό 5 έως 80 βαρών παρέχει τη σταθερότητα στόχων και τα ενισχυμένα ποσοστά επιμετάλλωσης πέρα από τους στόχους του πυριτίου μόνο και είναι συγκρίσιμο με τη σταθερότητα στόχων και τα ποσοστά επιμετάλλωσης στόχων πυρίτιο-νικελίου, χρώμιο στο στόχο μπορούν να αντικατασταθούν εν μέρει με το νικέλιο, κατά προτίμηση στη σειρά των τοις εκατό 5 έως 15 βαρών, για να παραγάγουν τα επιστρώματα του πυρίτιο-χρώμιο-νικελίου και των οξειδίων, τα νιτρίδια και oxynitrides επ' αυτού.
