An extrusion-free wet cleaning process for post-etch Cu-dual damascene
structures is developed. The process includes the following steps: (1).
providing a wafer having a silicon substrate and at least one post-etch
Cu-dual damascene structure, the post-etch Cu-dual damascene structure
having a via structure exposing a portion of a Cu wiring line electrically
connected with an N.sup.+ diffusion region of the silicon substrate, and a
trench structure formed on the via structure; (2). applying a diluted
H.sub.2 O.sub.2 solution on the wafer to slightly oxidize the surface of
the exposed Cu wiring line; (3). washing away cupric oxide generated in
the oxidation step by means of an acidic cupric oxide cleaning solution
containing diluted HF, NH.sub.4 F or NH.sub.2 OH; and (4). providing means
for preventing Cu reduction reactions on the Cu wiring line.
Превращен штранг-прессовани-svobodno влажный процесс чистки для столб-vytravl4et Чу-dvo1nye damascene структуры. Процесс вклюает following шаги: (1). обеспечивающ вафлю имея субстрат и по крайней мере одно кремния столб-vytravite Чу-dvo1nuh damascene структуру, столб-vytravite Чу-dvo1nuh damascene структуру имея а через структуру подвергая действию часть линии проводки cu электрически подключенной с зоной диффузии N.sup.+ субстрата кремния, и структуру шанца сформированную на через структуру; (2). прикладывать разбавленное разрешение H.sub.2 O.sub.2 на вафле небольш для того чтобы окислить поверхность, котор подвергли действию линии проводки cu; (3). моя отсутствующая cupric окись произведенная в шаге оксидации посредством кислотного cupric разрешения чистки окиси содержа разбавленный hf, NH.sub.4 ф или NH.sub.2 oh; и (4). обеспечивающ середины для предотвращать реакции уменьшения cu на проводке cu выравниваются.
