In a semiconductor device in which the gate electrode of a MISFET formed on
a semiconductor substrate is electrically connected to a well region under
the channel of the MISFET, the MISFET is formed in an island-shaped
element region formed on the semiconductor substrate, and electrical
connection between the gate electrode of the MISFET and the well region in
the semiconductor substrate is done on the side surface of the
island-shaped element region.
In een halfgeleiderapparaat waarin de poortelektrode van een MISFET die op een halfgeleidersubstraat wordt gevormd elektrisch met een putgebied onder het kanaal van MISFET wordt verbonden, wordt MISFET in een eiland-vormig elementengebied gevormd dat op het halfgeleidersubstraat wordt gevormd, en de elektroverbinding tussen de poortelektrode van MISFET en het putgebied in wordt het halfgeleidersubstraat gedaan op de zijoppervlakte van het eiland-vormige elementengebied.
