A semiconductor light-emitting device exhibits high reflectance even with
less number of pairs of light-reflecting layers, and allows light emitted
from the active layer to be effectively extracted outside. This
semiconductor light-emitting device is fabricated at good mass
productivity by a semiconductor light-emitting device manufacturing method
including the step of providing an active layer which generates light
having a specified wavelength on a semiconductor substrate. On the
semiconductor substrate, are stacked an Al.sub.x Ga.sub.1-x As layer and
the active layer, in this order. Part of the Al.sub.x Ga.sub.1-x As layer
with respect to the is changed into an AlO.sub.y layer (where y is a
positive real number).
Een halfgeleider lichtgevend apparaat stelt hoge reflectiecoëfficiënt zelfs met minder aantal paren van licht-wijst op lagen tentoon, en laat licht toe dat van de actieve laag wordt uitgezonden om effectief buiten worden gehaald. Dit halfgeleider lichtgevende apparaat wordt vervaardigd bij goede massaproductiviteit door een halfgeleider lichtgevende apparaat productiemethode met inbegrip van de stap van het verstrekken van een actieve laag die licht produceert dat een gespecificeerde golflengte op een halfgeleidersubstraat heeft. Op halfgeleider wordt het substraat, gestapeld een Al.sub.x ga.sub.1-X als laag en actieve laag, in deze orde. Een deel van Al.sub.x ga.sub.1-X als laag met betrekking tot wordt veranderd in een laag AlO.sub.y (waar y een positief echt aantal is).
