Fabrication of an MO disc, the formation of a master pattern of servo and
track information, and the subsequent transfer of that pattern to a series
of pits and grooves on a substrate. On top of that substrate, at least one
sacrificial layer is provided atop a relatively hard layer. The recording
stack may be provided with both silicon nitride and silicon dioxide top
layers, with the silicon dioxide layer acting as a sacrificial layer to
ensure that the hard layer, of silicon nitride, remains at the end of the
process. A layer of aluminum or aluminum alloy may be deposited, with the
aluminum plugs filling the grooves and pits (created by the embossed servo
information) to a level higher than any of the adjacent layers of silicon
dioxide, silicon nitride, or similar dielectric layer. Since the polishing
rate of aluminum can be far faster than that of the silicon dioxide, then
the aluminum can be etched or otherwise removed down to a level equal to
or slightly below a planar surface with the silicon dioxide, with the
silicon dioxide layer allowing for some small level of over polishing. The
silicon nitride layer is protected completely; the silicon dioxide layer
partially remains and is partially removed; and the aluminum metal which
fills the grooves and pits would rise only to a level substantially equal
the very flat top surface of the silicon dioxide.
Επεξεργασία ενός δίσκου MO, ο σχηματισμός ενός κύριου σχεδίου των σερβο και πληροφοριών διαδρομής, και της επόμενης μεταφοράς εκείνου του σχεδίου σε μια σειρά κοιλωμάτων και αυλακιών για ένα υπόστρωμα. Πάνω από εκείνο το υπόστρωμα, τουλάχιστον ένα θυσιαστικό στρώμα παρέχεται επάνω σε ένα σχετικά σκληρό στρώμα. Στο σωρό καταγραφής μπορούν να παρασχεθούν και τα κορυφαία στρώματα διοξειδίου νιτριδίων πυριτίου και πυριτίου, με το στρώμα διοξειδίου πυριτίου ενεργώντας ως θυσιαστικό στρώμα για να εξασφαλίσει ότι το σκληρό στρώμα, του νιτριδίου πυριτίου, παραμένει στο τέλος της διαδικασίας. Ένα στρώμα του αργιλίου ή του κράματος αργιλίου μπορεί να κατατεθεί, στα βουλώματα αργιλίου γεμίζοντας τα αυλάκια και τα κοιλώματα (που δημιουργούνται από τις αποτυπωμένες σε ανάγλυφο σερβο πληροφορίες) σε ένα επίπεδο πιό υψηλό από οποιαδήποτε από τα παρακείμενα στρώματα του διοξειδίου πυριτίου, του νιτριδίου πυριτίου, ή του παρόμοιου διηλεκτρικού στρώματος. Δεδομένου ότι το ποσοστό στίλβωσης αργιλίου μπορεί να είναι πολύ γρηγορότερο από αυτό του διοξειδίου πυριτίου, κατόπιν το αργίλιο μπορεί να χαραχτεί ή ειδάλλως να αφαιρεθεί κάτω σε ένα επίπεδο ίσο με ή ελαφρώς κάτω από μια επίπεδη επιφάνεια με το διοξείδιο πυριτίου, με το στρώμα διοξειδίου πυριτίου που επιτρέπει κάποιο μικρό επίπεδο πέρα από τη στίλβωση. Το στρώμα νιτριδίων πυριτίου προστατεύεται εντελώς το στρώμα διοξειδίου πυριτίου παραμένει μερικώς και αφαιρείται μερικώς και το μέταλλο αργιλίου που γεμίζει τα αυλάκια και τα κοιλώματα θα ανερχόταν μόνο σε ένα επίπεδο είναι ίσο με ουσιαστικά την πολύ επίπεδη κορυφαία επιφάνεια του διοξειδίου πυριτίου.
