Two complementary bit lines corresponding to a selected column are pulled
down to a ground voltage via each of a selected MTJ memory cell and a
dummy memory cell and are pulled up to a power supply voltage via a read
drive selection gate. A read gate corresponding to the selected column
drives the voltages of two complementary read data buses by driving force
according to the voltage of corresponding complementary two bit lines,
respectively. A data reading circuit executes data reading operation on
the basis of a voltage difference between the complementary two read data
buses. The power supply voltage is determined in consideration of
reliability of a tunneling insulating film of an MTJ memory cell.
Duas linhas complementares do bocado que correspondem a uma coluna selecionada são puxadas para baixo para uma tensão à terra através de cada uma de uma pilha de memória selecionada de MTJ e de uma pilha de memória dummy e puxadas até uma tensão da fonte de alimentação através de uma porta lida da seleção da movimentação. Uma porta lida que corresponde à coluna selecionada dirige as tensões de duas barras-ônibus de dados lidos complementares pela força dirigindo de acordo com a tensão de duas linhas complementares correspondentes do bocado, respectivamente. Um circuito da leitura de dados executa a operação de leitura dos dados na base de uma diferença da tensão entre as duas barras-ônibus de dados lidos complementares. A tensão da fonte de alimentação é determinada na consideração da confiabilidade de uma película isolando tunneling de uma pilha de memória de MTJ.
