A semiconductor memory device has a peripheral circuit area and a memory
cell area on a main surface thereof. The semiconductor memory device
includes a first well formed in the peripheral circuit area, a second well
of a first conductivity type formed in the memory cell area, a third well
of a second conductivity type formed in the memory cell area, and a device
isolation structure formed in the memory cell area for isolating an
element formed in the second well from an element formed in the third
well. The second well of the first conductivity type has a depth shallower
than a depth of the first well. The third well of the second conductivity
type is equal in depth to the second well. The second and third wells are
formed down to a level lower than the device isolation structure.
Приспособление памяти полупроводника имеет периферийную зону цепи и зону ячейкы памяти на главной поверхности thereof. Приспособление памяти полупроводника вклюает первое хорошее сформированное в периферийную зону цепи, секунду наилучшим образом первого типа проводимости сформированного в зоне ячейкы памяти, треть наилучшим образом второго типа проводимости сформированного в зоне ячейкы памяти, и структуру изоляции приспособления сформированную в зоне ячейкы памяти для изолировать элемент сформированный в секунде наилучшим образом от элемента сформированного в трети наилучшим образом. Секунда наилучшим образом первого типа проводимости имеет глубину более отмелую чем глубина первое хорошего. Треть наилучшим образом второго типа проводимости равна в глубине к добру секунды. Вторые и третьи добра будут сформированным вплоть до ровное низкое чем структура изоляции приспособления.
