A redundant data for substituting a sector in the second memory region for
a damaged sector in the first memory region is stored in the 1088 sector
of the flash memory (1), and a program-instruction for rewriting, the
redundant data into the table RAM (7) and for writing a program
instruction in a specific sector into a program RAM (3) is stored in the 0
sector of the flash memory (1). Because with this arrangement a separate
redundant circuit is unnecessary, costs can be reduced.
I dati ridondanti per la sostituzione del settore nella seconda regione di memoria per un settore danneggiato nella prima regione di memoria sono memorizzati nel settore 1088 della memoria istantanea (1) e un'programma-istruzione per la ribattitura, i dati ridondanti nella RAM della tabella (7) e per la scrittura dell'istruzione di programma in un settore specifico in una RAM di programma (3) è memorizzata nei 0 settori della memoria istantanea (1). Poiché con questa disposizione un circuito ridondante separato è inutile, i costi possono essere ridotti.
