A memory device having a cross point array of memory cells includes a
temperature sensor and a reference memory cell. The temperature sensor
senses the temperature of the memory device and data from the temperature
sensor and the reference memory cell are used to update write currents
used to program the array of memory cells. A method of calibrating the
memory device involves detecting a temperature of the memory device,
determining whether the temperature of the memory device has changed by a
threshold value, and updating write current values if the temperature of
the memory device changes by the threshold value. The write current values
can be updated by data from the reference memory cell, or from write
current values stored in a lookup table.
Μια συσκευή μνήμης που έχει μια διαγώνια σειρά σημείου κυττάρων μνήμης περιλαμβάνει έναν αισθητήρα θερμοκρασίας και ένα κύτταρο μνήμης αναφοράς. Οι αισθήσεις αισθητήρων θερμοκρασίας που η θερμοκρασία της συσκευής μνήμης και τα στοιχεία από τον αισθητήρα θερμοκρασίας και το κύτταρο μνήμης αναφοράς χρησιμοποιούνται για να ενημερώσουν γράφουν τα ρεύματα που χρησιμοποιούνται για να προγραμματίσουν τη σειρά κυττάρων μνήμης. Μια μέθοδος τη συσκευή μνήμης περιλαμβάνει την ανίχνευση μιας θερμοκρασίας της συσκευής μνήμης, που καθορίζει εάν η θερμοκρασία της συσκευής μνήμης έχει αλλάξει από μια αξία κατώτατων ορίων, και ενημερώνοντας γράψτε τις τρέχουσες τιμές εάν η θερμοκρασία της συσκευής μνήμης αλλάζει από την αξία κατώτατων ορίων. Γράψτε ότι οι τρέχουσες τιμές μπορούν να ενημερωθούν από τα στοιχεία από το κύτταρο μνήμης αναφοράς, ή από γράψτε τις τρέχουσες τιμές που αποθηκεύονται σε έναν πίνακα συμβούλευσης.
