A method of using scatterometric techniques to control stepper process is
disclosed. In one illustrative embodiment, the method comprises providing
a library of optical characteristic traces, each of which corresponds to a
grating structure comprised of a plurality of features having a known
profile, and forming a plurality of grating structures in a layer of
photoresist, each of said formed grating structures being comprised of a
plurality of features having an unknown profile. The method further
comprises illuminating the formed grating structures, measuring light
reflected off of each of the formed grating structures to generate an
optical characteristic trace for each of the formed grating structures,
comparing each of said generated optical characteristic traces to at least
one optical characteristic trace from the library, and modifying at least
one parameter of a stepper exposure process to be performed on at least
one subsequently processed wafer based upon the comparison of the
generated optical characteristic traces and the optical characteristic
trace from the library. In another embodiment, the generated optical
characteristic traces for the grating structures are compared to a target
optical characteristic trace for the grating structures, and at least one
parameter of an exposure process to be performed on a layer of photoresist
formed on a subsequently processed wafer may be determined or modified
based upon this comparison.
Eine Methode des Verwendens von von scatterometric Techniken, um Stepperprozeß zu steuern wird freigegeben. In einer illustrativen Verkörperung enthält die Methode das Zur Verfügung stellen einer Bibliothek der optischen charakteristischen Spuren, von denen jede einer kratzenden Struktur entspricht, die von einer Mehrzahl der Eigenschaften enthalten wird, die ein bekanntes Profil haben, und die Formung einer Mehrzahl der kratzenden Strukturen in einer Schicht Photoresist, jeder von den besagten gebildeten kratzenden Strukturen, die von einer Mehrzahl der Eigenschaften enthalten werden, die ein unbekanntes Profil haben. Die Methode, die weiter ist, enthält das Belichten der gebildeten kratzenden Strukturen, das Messen des Lichtes, das weg von jeder der gebildeten kratzenden Strukturen reflektiert wird, um eine optische charakteristische Spur für jede der gebildeten kratzenden Strukturen zu erzeugen, das Vergleichen jede von besagten erzeugten optischen charakteristischen Spuren mit mindestens einer optischen charakteristischen Spur von der Bibliothek und das Ändern mindestens von von einem Parameter eines mindestens an einer nachher verarbeiteten Oblate, die nach dem Vergleich der erzeugten optischen Eigenschaft Spuren gegründet werden und an der optischen charakteristischen Spur von der Bibliothek durchgeführt zu werden Stepperbelichtung Prozesses. In einer anderen Verkörperung werden die erzeugten optischen charakteristischen Spuren für die kratzenden Strukturen mit einer optischen charakteristischen Spur des Ziels für die kratzenden Strukturen verglichen, und mindestens kann ein Parameter eines an einer Schicht Photoresist durchgeführt zu werden Belichtung Prozesses, gebildet worden auf einer nachher verarbeiteten Oblate festgestellt werden oder geändert werden gegründet worden nach diesem Vergleich.
