Optical proximity effects (OPEs) are a well-known phenomenon in
photolithography. OPEs result from the structural interaction between the
main feature and neighboring features. It has been determined by the
present inventors that such structural interactions not only affect the
critical dimension of the main feature at the image plane, but also the
process latitude of the main feature. Moreover, it has been determined
that the variation of the critical dimension as well as the process
latitude of the main feature is a direct consequence of light field
interference between the main feature and the neighboring features.
Depending on the phase of the field produced by the neighboring features,
the main feature critical dimension and process latitude can be improved
by constructive light field interference, or degraded by destructive light
field interference. The phase of the field produced by the neighboring
features is dependent on the pitch as well as the illumination angle. For
a given illumination, the forbidden pitch region is the location where the
field produced by the neighboring features interferes with the field of
the main feature destructively. The present invention provides a method
for determining and eliminating the forbidden pitch region for any feature
size and illumination condition. Moreover, it provides a method for
performing illumination design in order to suppress the forbidden pitch
phenomena, and for optimal placement of scattering bar assist features.
Les effets optiques de proximité (OPEs) sont un phénomène bien connu dans la photolithographie. Résultat d'OPEs de l'interaction structurale entre la caractéristique principale et les dispositifs voisins. On l'a déterminé par les inventeurs actuels que de telles interactions structurales affectent non seulement la dimension critique de la caractéristique principale à l'avion d'image, mais par également la latitude de processus de la caractéristique principale. D'ailleurs, on l'a déterminé que la variation de la dimension critique aussi bien que la latitude de processus de la caractéristique principale est une conséquence directe d'interférence légère de champ entre la caractéristique principale et les dispositifs voisins. Selon la phase du champ a produit par les dispositifs voisins, la latitude critique de dimension et de processus de caractéristique principale peut être améliorée par interférence légère constructive de champ, ou être dégradée par interférence légère destructive de champ. La phase du champ produit par les dispositifs voisins dépend du lancement comme l'angle d'illumination. Pour une illumination donnée, la région interdite de lancement est l'endroit où le champ produit par les dispositifs voisins interfère le champ de la caractéristique principale nuisiblement. La présente invention fournit une méthode pour déterminer et éliminer la région interdite de lancement pour n'importe quel état de taille et d'illumination de dispositif. D'ailleurs, elle fournit une méthode pour exécuter la conception d'illumination afin de supprimer les phénomènes interdits de lancement, et pour le placement optimal de disperser des dispositifs d'aide de barre.
